Koreańczycy opracowali również jednowarstwowy chip o pojemności 4 GB bazujący na tej samej technologii. 30 nanometrów to spory krok naprzód. Dotychczas w fabrykach Samsunga powstawały pamięci NAND flash w procesie technologicznym co najwyżej 51 nm. Jednak i one nie mają się czego wstydzić. Charakteryzują się prędkością odczytu 30 MB/s i zapisu 8 MB/s, co jest mniej więcej 60-procentowym skokiem w porównaniu do poprzedniej technologii 60 nm.
Samsung Electronics zaprezentował pierwszy na świecie 30-nanometrowy chip pamięci NAND flash, którego pojemność to 8 GB. W najbliższej przyszłości firma planuje połączyć 16 takich płytek w jednym urządzeniu, tworząc 128-gigabajtową kartę pamięci.
